Kontakt
Kontakt Lieferverfügbarkeit

All Photo-MOSFET Relays |

Parametrische Suche

Die SMP-21 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 40 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 13 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-21 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-23 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 250 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 37 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-23 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

 

Die SMP-30 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 52 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-30 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-31 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 350 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-37 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 45 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-37 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Photo-MOSFET relay SMP-58 series

The SMP-58 Photo-MOSFET Relay series is a solid-state relay featuring switching up to 1800V AC or peak DC with low on-resistance. SMP-58 come in a very small SMD (surface mount design), or DIP (dual-in-line package) with high I/O isolation. It also features a low output capacitance of 10pF and a low off-state leakage current of 10μA (VL=1800V @25°C). Photo-MOSFET Relays also feature fast switching, no contact bounce, low noise, impervious to dirty environments, shock/vibration proof, extremely high input to output isolation, control low-level analog signals to high-level loads: (LED’s, relays, lamps, solenoids). The added benefit of stable on resistance, long life and high reliability make the SMP-58 Photo-MOSFET Relay series ideal in many applications.

SMP-42 Photo-MOSFET Relay series

The SMP-42 Photo-MOSFET Relay series is a solid-state relay featuring switching up to 60V DC or peak AC, in a very small SOP (small-outline package), SMD (surface mount design), or DIP (dual-in-line package). It also features a load current of 5 Amps, with high peak of 10 Amps. This series provides a low Off-state leakage current of 1μA and low On-Resistance 20 mOhm Photo-MOSFET Relays also feature fast switching, no contact bounce, low noise, impervious to dirty environments, shock/vibration proof, extremely high input to output isolation, control low-level analog signals to high-level loads: (LED’s, relays, lamps, solenoids). The added benefit of stable on resistance, long life and high reliability make the SMP-42 Photo-MOSFET Relay series ideal in many applications.

Die SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-74 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) , SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-74 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-36 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über einen hohen Spitzenlaststrom von 6 A und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-36 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-40 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 1500 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 83 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-40 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-47 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über einen hohen Spitzenlaststrom von 3 A und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-47 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Load more

DIP

Die SMP-30 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 52 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-30 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-31 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 350 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-37 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 45 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-37 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Photo-MOSFET relay SMP-58 series

The SMP-58 Photo-MOSFET Relay series is a solid-state relay featuring switching up to 1800V AC or peak DC with low on-resistance. SMP-58 come in a very small SMD (surface mount design), or DIP (dual-in-line package) with high I/O isolation. It also features a low output capacitance of 10pF and a low off-state leakage current of 10μA (VL=1800V @25°C). Photo-MOSFET Relays also feature fast switching, no contact bounce, low noise, impervious to dirty environments, shock/vibration proof, extremely high input to output isolation, control low-level analog signals to high-level loads: (LED’s, relays, lamps, solenoids). The added benefit of stable on resistance, long life and high reliability make the SMP-58 Photo-MOSFET Relay series ideal in many applications.

SMP-42 Photo-MOSFET Relay series

The SMP-42 Photo-MOSFET Relay series is a solid-state relay featuring switching up to 60V DC or peak AC, in a very small SOP (small-outline package), SMD (surface mount design), or DIP (dual-in-line package). It also features a load current of 5 Amps, with high peak of 10 Amps. This series provides a low Off-state leakage current of 1μA and low On-Resistance 20 mOhm Photo-MOSFET Relays also feature fast switching, no contact bounce, low noise, impervious to dirty environments, shock/vibration proof, extremely high input to output isolation, control low-level analog signals to high-level loads: (LED’s, relays, lamps, solenoids). The added benefit of stable on resistance, long life and high reliability make the SMP-42 Photo-MOSFET Relay series ideal in many applications.

Die SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-74 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) , SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-74 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-36 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über einen hohen Spitzenlaststrom von 6 A und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-36 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-40 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 1500 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 83 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-40 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-47 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über einen hohen Spitzenlaststrom von 3 A und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-47 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

General Purpose

Die SMP-30 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 52 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-30 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-31 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 350 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-37 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 45 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-37 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-74 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) , SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-74 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

High Current >1A

SMP-42 Photo-MOSFET Relay series

The SMP-42 Photo-MOSFET Relay series is a solid-state relay featuring switching up to 60V DC or peak AC, in a very small SOP (small-outline package), SMD (surface mount design), or DIP (dual-in-line package). It also features a load current of 5 Amps, with high peak of 10 Amps. This series provides a low Off-state leakage current of 1μA and low On-Resistance 20 mOhm Photo-MOSFET Relays also feature fast switching, no contact bounce, low noise, impervious to dirty environments, shock/vibration proof, extremely high input to output isolation, control low-level analog signals to high-level loads: (LED’s, relays, lamps, solenoids). The added benefit of stable on resistance, long life and high reliability make the SMP-42 Photo-MOSFET Relay series ideal in many applications.

Die SMP-36 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über einen hohen Spitzenlaststrom von 6 A und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-36 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-47 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über einen hohen Spitzenlaststrom von 3 A und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-47 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

High Voltage >1.5kV

Photo-MOSFET relay SMP-58 series

The SMP-58 Photo-MOSFET Relay series is a solid-state relay featuring switching up to 1800V AC or peak DC with low on-resistance. SMP-58 come in a very small SMD (surface mount design), or DIP (dual-in-line package) with high I/O isolation. It also features a low output capacitance of 10pF and a low off-state leakage current of 10μA (VL=1800V @25°C). Photo-MOSFET Relays also feature fast switching, no contact bounce, low noise, impervious to dirty environments, shock/vibration proof, extremely high input to output isolation, control low-level analog signals to high-level loads: (LED’s, relays, lamps, solenoids). The added benefit of stable on resistance, long life and high reliability make the SMP-58 Photo-MOSFET Relay series ideal in many applications.

High Voltage >600V

Die SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-40 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 1500 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 83 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-40 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Low Capacitance

Die SMP-21 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 40 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 13 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-21 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-23 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 250 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 37 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-23 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

 

SMD

Die SMP-30 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 52 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-30 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-31 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 350 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-37 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 45 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-37 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Photo-MOSFET relay SMP-58 series

The SMP-58 Photo-MOSFET Relay series is a solid-state relay featuring switching up to 1800V AC or peak DC with low on-resistance. SMP-58 come in a very small SMD (surface mount design), or DIP (dual-in-line package) with high I/O isolation. It also features a low output capacitance of 10pF and a low off-state leakage current of 10μA (VL=1800V @25°C). Photo-MOSFET Relays also feature fast switching, no contact bounce, low noise, impervious to dirty environments, shock/vibration proof, extremely high input to output isolation, control low-level analog signals to high-level loads: (LED’s, relays, lamps, solenoids). The added benefit of stable on resistance, long life and high reliability make the SMP-58 Photo-MOSFET Relay series ideal in many applications.

SMP-42 Photo-MOSFET Relay series

The SMP-42 Photo-MOSFET Relay series is a solid-state relay featuring switching up to 60V DC or peak AC, in a very small SOP (small-outline package), SMD (surface mount design), or DIP (dual-in-line package). It also features a load current of 5 Amps, with high peak of 10 Amps. This series provides a low Off-state leakage current of 1μA and low On-Resistance 20 mOhm Photo-MOSFET Relays also feature fast switching, no contact bounce, low noise, impervious to dirty environments, shock/vibration proof, extremely high input to output isolation, control low-level analog signals to high-level loads: (LED’s, relays, lamps, solenoids). The added benefit of stable on resistance, long life and high reliability make the SMP-42 Photo-MOSFET Relay series ideal in many applications.

Die SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-74 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) , SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-74 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-36 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über einen hohen Spitzenlaststrom von 6 A und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-36 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-40 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 1500 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 83 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-40 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-47 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über einen hohen Spitzenlaststrom von 3 A und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-47 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

SOP

Die SMP-21 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 40 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 13 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-21 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-23 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 250 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 37 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-23 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

 

Die SMP-30 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 52 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-30 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-31 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 350 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-37 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 45 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-37 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

SMP-42 Photo-MOSFET Relay series

The SMP-42 Photo-MOSFET Relay series is a solid-state relay featuring switching up to 60V DC or peak AC, in a very small SOP (small-outline package), SMD (surface mount design), or DIP (dual-in-line package). It also features a load current of 5 Amps, with high peak of 10 Amps. This series provides a low Off-state leakage current of 1μA and low On-Resistance 20 mOhm Photo-MOSFET Relays also feature fast switching, no contact bounce, low noise, impervious to dirty environments, shock/vibration proof, extremely high input to output isolation, control low-level analog signals to high-level loads: (LED’s, relays, lamps, solenoids). The added benefit of stable on resistance, long life and high reliability make the SMP-42 Photo-MOSFET Relay series ideal in many applications.

Die SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-74 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) , SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-74 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-47 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über einen hohen Spitzenlaststrom von 3 A und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-47 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Abonnieren Sie Unseren Newsletter

We Will Use The Email Address You Provide To Send You Marketing And Promotional Materials.

Messen Und Ausstellungen

Power of Electronics 2024
Time: September 11–12, 2024
Place: Vogel Convention Center Würzburg
Für Weitere Informationen, Klicken Sie Hier.

electronica 2024
Booth No.: 331
Für Weitere Informationen, Klicken Sie Hier.

Folgen Sie Uns

Focused. Leadership

Video
Tabelle herunterladen
Products compare