Die SMP-30 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 52 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-30 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
Die SMP-31 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 350 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
Die SMP-37 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 45 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-37 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
The SMP-58 Photo-MOSFET Relay series is a solid-state relay featuring switching up to 1800V AC or peak DC with low on-resistance. SMP-58 come in a very small SMD (surface mount design), or DIP (dual-in-line package) with high I/O isolation. It also features a low output capacitance of 10pF and a low off-state leakage current of 10μA (VL=1800V @25°C). Photo-MOSFET Relays also feature fast switching, no contact bounce, low noise, impervious to dirty environments, shock/vibration proof, extremely high input to output isolation, control low-level analog signals to high-level loads: (LED’s, relays, lamps, solenoids). The added benefit of stable on resistance, long life and high reliability make the SMP-58 Photo-MOSFET Relay series ideal in many applications.
The SMP-42 Photo-MOSFET Relay series is a solid-state relay featuring switching up to 60V DC or peak AC, in a very small SOP (small-outline package), SMD (surface mount design), or DIP (dual-in-line package). It also features a load current of 5 Amps, with high peak of 10 Amps. This series provides a low Off-state leakage current of 1μA and low On-Resistance 20 mOhm Photo-MOSFET Relays also feature fast switching, no contact bounce, low noise, impervious to dirty environments, shock/vibration proof, extremely high input to output isolation, control low-level analog signals to high-level loads: (LED’s, relays, lamps, solenoids). The added benefit of stable on resistance, long life and high reliability make the SMP-42 Photo-MOSFET Relay series ideal in many applications.
Die SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
Die SMP-74 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) , SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-74 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
Die SMP-36 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über einen hohen Spitzenlaststrom von 6 A und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-36 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
Die SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
Die SMP-40 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 1500 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 83 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-40 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
Die SMP-47 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über einen hohen Spitzenlaststrom von 3 A und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-47 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
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