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Die SMP-21 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 40 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 13 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-21 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-23 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 250 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 37 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-23 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

 

Die SMP-30 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 52 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-30 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-31 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 350 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-37 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 45 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-37 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-47 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über einen hohen Spitzenlaststrom von 3 A und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-47 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

Die SMP-74 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) , SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-74 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.

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